服务内容
先进制程芯片结构与成分全维度分析，核心覆盖金属层、M0层、FinFET等关键结构解析。
服务范围
面向芯片制造及设计企业，针对7nm及以下先进制程芯片提供检测服务：
● 验证先进制程工艺的稳定性与关键工艺节点；
● 支持同类竞品分析、逆向分析等研发/市场研究场景。
服务背景
集成电路制造工艺持续升级，芯片制程从65nm、40nm逐步向22nm、14nm、7nm、4nm、3nm迭代。制程节点越小，代表晶体管集成度越高、处理速度越快、功耗越低，但也导致芯片内部结构复杂度提升，关键结构尺寸缩小至光学显微镜无法观测的纳米级，需依赖高精度显微分析技术。
TEM（透射电子显微镜）检测要求样品具备超薄特性（电子可穿透形成衍射图像），而FIB（聚焦离子束）的高效溅射能力可实现样品精细加工，因此FIB是TEM超薄样品制备的核心技术手段。
核心优势
1. 专利技术加持：深圳汇测掌握多项FIB-TEM制样核心专利技术，包括：
▪ 消除FIB聚焦离子束窗帘效应的方法；
▪ 新型框架结构法制备热敏感型TEM超薄样品；
▪ FIB阶梯减薄法制备脆性易裂材料超薄TEM样品；
▪ 不耐辐照精细结构晶圆样品的FIB超薄切片制样预处理方法；
▪ FIB倒切制备TEM样品的方法。
2. 超高分辨率分析：可获得高质量、无电子束损伤的TEM高分辨图像，实现先进制程芯片原子级分辨率的形貌表征与成分分析；
3. 场景适配性强：专为7nm及以下先进制程芯片定制分析方案，覆盖工艺验证、竞品分析、逆向分析等全场景需求。
测试周期
常规测试周期为5-7个工作日；针对紧急研发需求，可提供3-5个工作日加急服务。
案例分享
芯片FA分析-3D TEM法应用案例
