服务内容
1. 根据产品设计常规可靠性方案、动态可靠性方案；
2. 执行功率器件的动静态老炼及可靠性试验；
3. 设计和制作相关试验器具、出具可靠性报告、提供标准解读等。
服务范围
二/三极管、MOS、IGBT、TVS管、齐纳管等半导体分立器件的动静态可靠性测试（如HTRB、HTGB、DRB、DGB）；
二/三极管、MOS、IGBT、TVS管、齐纳管等半导体分立器件的环境应力试验（如H3TRB、DH3、HAST、AC、UHAST、IOL等）；
检测标准
● JESD22系列标准
● MIL-STD-750系列
● AEC-Q101
● AQG-324等
检测项目
（1）环境应力试验
| 序号 | 服务项目 | 说明 |
|---|---|---|
| 1 | High Humidity High Temperature Reverse Bias | 高温高湿反偏 |
| 2 | Highly Accelerated Stress Test | 高加速应力试验 |
| 3 | Intermittent Operational Life | 间歇工作寿命 |
| 4 | Unbiased Highly Accelerated Stress Test | 无偏置高加速应力试验 |
| 5 | Autoclave（Pressure Cooker Test） | 高压蒸煮 |
| 6 | Temperature Cycling | 温度循环 |
| 7 | Temperature Shock | 温冲（气-气） |
| 8 | Temperature Shock（liquid-liquid） | 液态温冲 |
| 9 | High Temperature Storage Life | 高温存储 |
| 10 | Low Temperature Storage Life | 低温存储 |
（2）老炼或工作寿命试验
| 序号 | 服务项目 | 说明 |
|---|---|---|
| 1 | High Temperature Reverse Bias | 高温反偏 |
| 2 | Low Temperature Reverse Bias | 低温反偏 |
| 3 | High Temperature Gate Bias | 高温栅偏 |
| 4 | Low Temperature Gate Bias | 低温栅偏 |
| 5 | Dyn.HTGS | 动态栅偏 |
| 6 | Dyn.HTRB | 动态反偏 |
| 7 | Dyn.H3TRB | 动态H3 |
| 8 | HTFB | 正向工作（双极性退化） |
| 9 | TDDB | 栅极稳定性-经时击穿 |
相关资质
广州实验室：CNAS
测试周期
常规可靠性：2个月内完成试验，根据技术标准、测试大纲定制
定制化动态可靠性：2~4个月，根据技术标准、测试大纲定制
服务背景
国内功率半导体分立器件的良率和可靠性长期低于国外同类器件。为实现器件国产化替代，需证明产品性能达到或超越国外大厂同类产品水平，规模化的老炼及可靠性测试不可或缺。除常规应力试验外，动态应力试验能验证器件在高频、高电压变化下的可靠性，更贴合器件实际运行工况。
核心优势
可实现不同电压等级（⾼达3300V）功率器件的全项目试验能力。
覆盖AEC-Q101、AQG324全项试验能力，以及包括DRB、DH3TRB、AC-BTI、HTFB等在内各类动态可靠性试验能力。
覆盖各类封装形式的夹具与老化板，包括但不限于直插式封装:TO220、TO247、TO263、TO252、TOLL；小型表面贴装封装:SMA、SMB、SMC、SOD123 、SOD323；中⼤型表面贴装封装:SMD、SMF;扁平无引脚封装(DFN)：DFN5*6等 。
常见问题
Q：分立半导体器件车规认证是否需要做动态可靠性？
A：分立半导体器件车规认证按照AEC-Q101标准，无动态可靠性试验要求。动态可靠性作为SiC MOSFET的额外需求，能反映器件高频、高速特性，可作为附加项目测试。
Q：工规可靠性认证是否有推荐的标准？
A：工业级可靠性通常按JESD47开展试验，其细项参考JESD22系列、MIL-STD-750等标准，与AEC-Q101项目基本相关或一致。可参照AEC-Q101项目，结合工业级使用场景细化试验条件、样品数量、失效判据等。
