服务介绍
集成电路失效分析是依托系统性检测与诊断技术，精准定位芯片功能异常或参数劣化根本原因的核心技术领域。随着制程节点持续微缩及三维集成技术（3D IC/Chiplet）的广泛应用，集成电路面临栅氧击穿、电迁移、热载流子效应以及TSV互连失效等新型失效挑战。该分析手段综合运用电性测试（IV曲线、Iddq）、显微成像（SEM/FIB）、成分分析（EDS/TOF-SIMS）和热激光等先进技术，精准解析失效机理（设计缺陷、工艺波动或ESD/EOS损伤），为产品良率提升、可靠性验证及知识产权维权提供关键技术支撑，对高端芯片国产化进程中的质量突破具有重要战略意义。
服务范围
集成电路、混合集成电路
服务内容
提供专业的集成电路失效分析服务，精准定位芯片失效根源，助力客户优化产品设计方案、强化质量管控体系、规范产品应用环境，从源头降低芯片失效风险。
检测标准
GJB8897-2017 军用电子元器件失效分析要求与方法
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
GJB33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB597A-1996 半导体集成电路总规范
GJB536B-2011 电子元器件质量保证大纲
检测项目
● 形貌分析：体视显微镜观测、金相显微镜检测、X射线探伤、SAT声学扫描显微镜检测、SEM扫描电镜分析、TEM透射电镜分析、FIB聚焦离子束切割；
● 成分检测：EDS能谱分析、SIMS二次离子质谱分析、XPS X射线光电子能谱分析、FTIR红外分析、光谱分析、色谱分析、质谱分析等；
● 电性分析：I-V曲线测试、半导体参数表征、LCR参数测试、集成电路参数验证、频谱分析、ESD参数测试、机械探针测试、绝缘耐压测试等；
● 开封制样：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片处理、IC芯片提取、芯片去层、衬底检测、DB FIB等；
● 缺陷定位：红外热像检测、电压衬度分析、InGaAs热点定位、OBIRCH热点定位、Thermal热点定位、PN结染色、弹坑检测等。
相关资质
具备CNAS认证资质，检测结果权威可追溯。
测试周期
单项测试周期约1-3个工作日；整体失效分析周期根据项目复杂程度调整，一般为5-12个工作日。
服务背景
集成电路失效分析服务是伴随半导体技术迭代与产业升级发展而来的关键支撑技术。在摩尔定律持续推进、异质集成技术快速兴起的背景下，先进制程芯片（7nm及以下）和复杂封装（Chiplet/3D IC）面临电迁移、热载流子效应、介质击穿、TSV互连等新型失效问题，而汽车电子、人工智能等高端应用场景对芯片可靠性提出了零缺陷的严苛要求。该服务整合电学测试、显微表征、材料分析等先进手段，精准定位设计缺陷、工艺波动或应用应力引发的失效根源，为芯片研发迭代、量产良率提升、供应链质量管控及知识产权保护提供核心技术支撑，是保障我国集成电路产业安全发展、实现高端芯片自主可控的重要技术保障。
核心优势
深圳汇策深耕装备电子元器件失效分析与故障归零，集聚一大批电子元器件失效分析专业人员，积累了大量的失效分析经验，为电子元器件提供专业化的失效分析。
深圳汇策具备CMA认证、ISO 17025（CNAS）认可，拥有完善的质量保证措施，积极参加各类能力验证项目，确保检测结果公正准确、可追溯。
