服务范围
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块。
检测标准
● AEC – Q101分立器件认证
● MIL – STD – 750半导体器件试验方法
● IEC60747系列
检测项目
| 参数类型 | 具体参数 |
|---|---|
| 静态参数 | BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)… |
| 动态参数 | td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE… |
| 其他参数 | Rth(j – c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA… |
相关资质
CNAS
服务背景
功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用，其中，IGBT技术瓶颈不断被打破，第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步入商业应用。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间，对测试设备及人员技术要求高，在研发时间与成本的双重压力下，全参数测试成为不少制造商的难题。
核心优势
深圳汇策积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时，深圳汇策通过构筑检测认证与分析⼀体化平台，为客⼾提供器件可靠性验证及失效分析，帮助客户分析失效机理，指导产品设计及⼯艺改进。
