功率器件SOA安全工作区测试
SOA(安全工作区)是功率器件的生命红线。本文详解正向偏置(FBSOA)与反向偏置(RBSOA)的定义,分析热限制、二次击穿及封装限制如何决定SOA边界,教您如何进行脉冲测试。

SOA(安全工作区)是功率器件的生命红线。本文详解正向偏置(FBSOA)与反向偏置(RBSOA)的定义,分析热限制、二次击穿及封装限制如何决定SOA边界,教您如何进行脉冲测试。

HCI(热载流子注入)是导致MOSFET性能退化的主要机制之一。本文解析高电场下“热电子”损伤栅极氧化层的原理,详解HCI测试条件及对Vth漂移、Idsat下降的影响。

静态老化(Static Burn-in)虽然简单,但依然是消费电子主流的筛选手段。本文通过实际案例,解析静态老化的操作流程、温度设定及优缺点,探讨其在低成本质量控制中的价值。

功率器件实际工作时往往处于高温状态。本文解析高温IV测试的重要性,分析阈值电压(Vth)、导通电阻(Rds)及漏电流在高温下的漂移规律,为热稳定性设计提供依据。

热冲击(TS)与温度循环有何不同?本文对比液槽式(Liquid-to-Liquid)与空气式(Air-to-Air)热冲击测试的标准差异(JESD22-A106/A104),解析其在半导体封装测试中的应用。

随着自动驾驶和智能座舱的发展,PCIe接口成为车内数据传输的主力。本文解析车规级PCIe Gen4/5面临的高温、长链路挑战,以及如何通过Tx眼图与Rx抖动容限测试确保通信可靠。

车规芯片不仅要可靠(AEC-Q100),还要安全(ISO 26262)。本文深度解析ASIL等级(A/B/C/D)含义,探讨芯片设计阶段如何进行FMEDA失效模式分析及硬件安全机制设计。

PCB打样回来发现信号跑不通?这是最昂贵的试错。本文探讨“仿真-测试-优化”的闭环流程,解析如何通过前仿真预测风险、TDR实测定位阻抗问题,从而大幅缩短研发周期。

随着SiP和MCM技术在汽车电子中的应用,AEC-Q104标准成为了认证新依据。本文详解AEC-Q104的适用范围、如何利用现有Q100/Q200数据,以及新增的板级可靠性(BLR)测试要求。

HTOL(高温工作寿命)是评估PCBA长期可靠性的金标准。本文详解HTOL测试的四个关键步骤:老化板设计、应力条件设定、实时监控及失效分析,助您掌握半导体级的老化流程。

PCBA功能测试通过了就代表质量没问题吗?本文深度对比FCT与可靠性测试的区别:FCT关注当前的逻辑功能,而可靠性测试关注长期的寿命与稳定性。两者缺一不可。

功率器件的开关速度受限于寄生结电容。本文详解输入电容Ciss、输出电容Coss及反向传输电容Crss的定义与测试方法,分析米勒效应对开关损耗的影响。
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