服务介绍
功率器件失效分析，是针对MOSFET、IGBT、SiC/GaN等器件，在高电压、大电流、高温环境下受电-热-机械应力耦合作用引发失效的专项技术服务。该服务综合运用电学测试（静态/动态参数测试、失效复现）、无损检测（X-ray、热成像）、破坏性分析（开封、剖面、材料表征）等手段，精准定位栅氧击穿、热失控、封装分层等失效根源，并结合AEC-Q101、JEDEC等行业标准与仿真工具，提供设计优化与工艺改进方案，助力提升器件在新能源、电动汽车等高压场景中的可靠性。
服务内容
提供专业的功率器件失效分析服务，精准定位器件失效的核心原因，帮助客户优化产品设计方案、强化全流程质量管控、规范产品应用环境，从源头降低产品失效概率。
服务范围
MOSFET、IGBT等功率器件及相关模组
检测标准
GJB8897-2017 军用电子元器件失效分析要求与方法
GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序
GJB4027B-2021 军用电子元器件破坏性物理分析方法
GJB33A-1997 半导体分立器件总规范
GJB597A-1996 半导体集成电路总规范
检测项目
● 形貌分析：体视显微镜观测、金相显微镜检测、X射线探伤、SAT声学扫描显微镜检测、SEM扫描电镜分析、TEM透射电镜分析、FIB聚焦离子束切割；
● 成分检测：EDS能谱分析、SIMS二次离子质谱分析、XPS X射线光电子能谱分析、FTIR红外分析、光谱分析、色谱分析、质谱分析等；
● 电性分析：I-V曲线测试、半导体参数表征、LCR参数测试、集成电路参数验证、频谱分析、ESD参数测试、机械探针测试、绝缘耐压测试等；
● 开封制样：化学开封、机械开封、等离子刻蚀、反应离子刻蚀、化学腐蚀、切片处理、IC芯片提取、芯片去层、衬底检测、DB FIB等；
● 缺陷定位：红外热像检测、电压衬度分析、InGaAs热点定位、OBIRCH热点定位、Thermal热点定位、PN结染色、弹坑检测等。
相关资质
具备CNAS认证资质，检测结果权威公正、可追溯。
测试周期
单项测试周期约1-3个工作日；整体失效分析周期根据项目复杂程度调整，通常为5-10个工作日。
服务背景
在功率器件国产替代的大趋势下，国内相关厂商迎来了前所未有的发展机遇。厂商在快速发展过程中，迫切需要减少甚至消除产品失效问题，并在设计、工艺、研发、量产、可靠性测试、封装等全环节进行优化升级，从而快速抢占市场份额，提升核心竞争力。
核心优势
深圳汇策深耕装备电子元器件失效分析与故障归零，集聚一大批电子元器件失效分析专业人员，积累了大量的失效分析经验，为电子元器件提供专业化的失效分析。
深圳汇策具备CMA认证、ISO 17025（CNAS）认可，拥有完善的质量保证措施，积极参加各类能力验证项目，确保检测结果公正准确、可追溯。
