服务内容
聚焦半导体材料全维度理化特性分析，提供从成分、结构到微观形貌的一站式检测及失效分析服务，核心内容如下：
1. 成分分析：通过EDS、XPS完成半导体材料元素定性定量分析，精准识别成分异常及污染物组成
2. 分子/晶体结构分析：利用FT-IR、XRD、NMR（H1/C13）分析材料分子结构与晶体结构，定位结构缺陷
3. 微观形貌分析：通过DB FIB、FESEM、AFM完成芯片剖面制备、微观形貌观察与尺寸量测
4. 失效分析定制服务：制定半导体物料污染物分析方案，开展芯片晶圆级剖面电子学分析，定位失效机理并提供工艺改进建议
服务范围
覆盖全品类半导体相关材料检测需求，核心服务对象如下：
● 材料类型：半导体材料、有机小分子材料、高分子材料、有机/无机杂化材料、无机非金属材料
● 应用场景：芯片制程工艺优化、材料良率提升、失效机理分析、污染物溯源、新工艺验证
检测标准
遵循半导体材料分析行业通用标准，确保测试结果精准可追溯：
● 成分分析：GB/T 20175（微束分析）、ASTM E1508（XPS元素分析）、ISO 15350（X射线光电子能谱）
● 结构分析：GB/T 6040（红外光谱）、GB/T 19501（X射线衍射）、JJF 1164（核磁共振波谱）
● 微观形貌：GB/T 16594（扫描电镜）、ASTM E2080（聚焦离子束制样）
测试周期
常规测试周期：单项成分/结构分析3-5个工作日，微观形貌分析5-7个工作日，失效分析定制服务7-20个工作日；支持加急服务，最快2个工作日出具初步分析结果。
相关资质
● 具备CNAS认可资质，检测报告具备国际公信力，可满足工艺改进、良率提升、客户审核等多场景需求
服务背景
大规模集成电路快速发展推动芯片制程工艺日趋复杂，半导体材料的微结构异常、成分偏差等问题成为制约芯片良率提升的核心瓶颈，也为半导体及集成电路新工艺落地带来极大挑战。精准的材料分析是定位问题、优化工艺的关键前提。
深圳汇测凭借完善的半导体材料分析体系，可快速定位材料异常及失效根源，助力企业突破工艺瓶颈。
核心优势
1. 技术能力领先：具备芯片晶圆级剖面制备及电子学分析能力，依托DB-FIB技术可精准切割芯片局部区域并完成结构、成分分析
2. 分析维度全面：覆盖半导体相关有机/无机材料的成分、分子结构、微观形貌全维度分析，一站式解决检测需求
3. 定制化方案专业：可制定半导体物料污染物分析专属方案，全面解析污染物理化特性，支撑溯源与整改
4. 实战经验丰富：具备大尺寸TEM样品（≥30μm）制备与分析能力，可解决复杂失效分析场景的技术难题
5. 资质权威可靠：CNAS认可资质保障检测数据精准可追溯，分析结论可作为工艺改进的核心依据
案例分享
TEM在封装工艺失效分析中的应用
案例背景
已知Via和衬底界面结构为衬底/Ti/Seed Cu/电镀Cu，通过DB-FIB分析发现该界面存在裂纹。客户需明确裂纹萌生的具体界面，分析失效机理并指导工艺改进。
失效分析方案
在Via直径处提取截面TEM样品（深度约30 μm，远超常规5-10 μm的TEM样品深度），减薄后的TEM样品全貌如下图所示：
图2 利用DB-FIB制备的透射切片样品的全貌图，样品深度~30 μm
1. 采用TEM明场模式观察裂纹区域，低倍和高倍图像显示裂纹两侧缺口形貌吻合，可还原界面原始形貌；
图3 裂纹区域的TEM明场像：a) 低倍；b) 和 c) 高倍细节图
2. 利用EDX进行元素分析，结果显示裂纹两侧均为Cu元素（无法区分Seed Cu和电镀Cu）：
图4 裂纹两侧区域EDX元素分析结果
a) HAADF图像；b) Ti元素分布；c) Cu元素分布
3. 对裂纹附近区域进行衍射分析，结果显示不同区域Cu均为fcc结构，但晶格参数存在差异：
图5 a)裂纹区域高倍TEM图像和衍射斑点采集位置示意图
b) 衬底区域的Cu衍射斑点
结论
衍射结果证实裂纹两侧为不同类型的Cu，裂纹从seed Cu与电镀Cu的界面产生并沿该界面扩散，该结论可作为封装工艺改进的核心依据。
