热载流子注入（HCI）测试详解
HCI（热载流子注入）是导致MOSFET性能退化的主要机制之一。本文解析高电场下“热电子”损伤栅极氧化层的原理，详解HCI测试条件及对Vth漂移、Idsat下降的影响。
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