服务内容
● TEM检测：明场像、离轴暗场像、中心暗场像、高分辨像、弱束暗场像
● STEM检测：HAADF像、DF像、BF像、EDS能谱、iDPC像
● 衍射分析：选区衍射、会聚束衍射、纳米束衍射
服务范围
● 芯片类客户：晶圆厂、半导体设备厂、芯片设计公司等
● 材料类客户：高校、科研院所、材料研发企业等
测试周期
常规测试周期为5-7个工作日；针对紧急研发需求，可提供3-5个工作日加急服务。
服务背景
在国外技术封锁加剧的背景下，国内高科技企业持续强化芯片自主研发能力，带动半导体设备国产化进程加速。随着芯片制程不断缩小（如7nm及以下先进制程），芯片与半导体设备研发对TEM（透射电子显微镜）这类高分辨率显微分析工具的依赖度显著提升。
TEM在材料研究与开发中具有不可替代的核心作用：可提供晶体结构、缺陷、元素种类及含量等微观结构信息，助力分析材料性能与行为；能研究材料相变、扩散等关键过程，为材料设计与性能改进提供精准的技术指导。
核心优势
1. 技术实力：深圳汇测深耕TEM分析测试技术，具备7nm及以下先进制程的FIB-TEM分析测试能力，可满足高端芯片研发检测需求；
2. 设备优势：配备业界先进的Talos F200X G2型TEM分析设备，保障检测精度与效率；
3. 团队优势：拥有业界领先的TEM分析专家团队，可针对不同客户的研发需求定制专属测试方案；
4. 服务适配：覆盖芯片、材料全领域客户，可提供从制样到数据分析的全流程TEM检测服务。
案例分享
4nm FinFet HRTEM图片
SrTiO3-HRSTEM原子像以及原子级EDS分析
