信号完整性测试的频域与时域方法对比
信号完整性测试该看时域还是频域?本文对比TDR阻抗测试与VNA S参数测量的优劣势,解析如何结合时域的直观定位与频域的损耗分析,全方位评估高速互连性能。

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阻抗不匹配导致的信号反射是高速电路设计的噩梦。本文深入解析反射形成的机理,过冲、振铃等现象对信号完整性的影响,以及如何通过TDR测试定位阻抗不连续点,助您优化PCB设计质量。

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击穿电压(BV)决定了功率器件的电压承受极限。本文深入探讨击穿电压测试对MOSFET/IGBT的重要性,分析雪崩击穿原理及测试时的保护机制,确保电路设计的安全性。

功率器件IV测试是评估MOSFET、IGBT性能的基础。本文详解IV特性曲线测试原理,涵盖漏电流、阈值电压及饱和电流等核心参数,助您掌握半导体静态特性分析方法。

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